三星电子全国首发HBM4E 12层样品 最高速率达16Gbps

产品中心 2026-06-01 15:56:09 93

三星电子全国首发HBM4E 12层样品 最高速率达16Gbps

  【CNMO科技音讯】5月29日,电子秘书,已向全国客户供应全国首款HBM4E 12层样品,进一步鼓励下一代高带宽存储器产物布局。此前,三星已于本年2月开动HBM4量产出货,这次在数月后提供HBM4E样品,意味着其正加速面向AI基础法度市集的产物鼓励节律。

  据了解,这款HBM4E 12层产物在想象和工艺优化后,单引脚传输速率可从14Gbps训导至最高16Gbps,较上一代HBM4训导跳动20%。在带宽方面,单堆栈可提供每秒3.6TB的数据浑沌才智,可用于大讲话模子及下一代AI系统的高强度筹算需求。

  容量方面,HBM4E 12层产物终了48GB容量,较前代训导跳动30%。按照办法,三星后续还将彭胀32GB的8层版块和64GB的16层版块,以适配不同客户的哄骗场景。

  三星暗示,欧美日韩国产二区HBM4E遴荐已在HBM4上考证的工艺,也即是10纳米级第六代DRAM,并纠合自有4纳米逻辑芯片。公司称,这一组合有助于训导先进工艺褂讪性,并兼顾良率与量产才智。同期,产物还通过低功耗想象和封装结构优化,使能效较前代训导16%,热阻特质改善跳动14%。

  按照办法,三星将在这次样品供应基础上,依据客户时分表鼓励量产供货。算作配景,三星本年2月已终了HBM4量产出货。公司称,客户对HBM4在速率和功耗发扬上的响应较为积极。客岁12月,HBM4在SiP测试中达到11.7Gbps,并取得较高档别评价。由于HBM4与HBM4E遴荐相易的1c DRAM和4纳米基础芯片组合,业内也关怀HBM4E后续转入量产的进展。